創(chuàng)新:深耕于氮化鎵單晶襯底的技術(shù)創(chuàng)新
智造:助力氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展,解決國家重大需求
未來:致力于成為國際知名的第三代半導(dǎo)體材料的領(lǐng)軍企業(yè)
COMPANY PROFILE
公司 概況
山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月,主要從事第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司以近年來研發(fā)的最新GaN單晶生長與襯底加工技術(shù)成果為基礎(chǔ),開展全方位產(chǎn)學(xué)研合作。是國際上少數(shù)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的GaN自支撐單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。
GaN襯底材料可用來制作激光器、高端LED、大功率電力電子器件和高功率射頻器件等,主要應(yīng)用于藍(lán)綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。公司依托卓越的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和多年積累的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),重視技術(shù)引領(lǐng),堅(jiān)持以創(chuàng)新為核心,完善服務(wù)、完善產(chǎn)品,力爭成為國際著名的GaN半導(dǎo)體材料公司。
產(chǎn)品中心

10*10 mm自支撐氮化鎵晶片
10mm自支撐GaN
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20*20 mm自支撐氮化鎵晶片
20mm自支撐GaN
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2英寸自支撐GaN
2英寸自支撐GaN
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新聞資訊
應(yīng)用領(lǐng)域